全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向以工業(yè)設(shè)備和通信設(shè)備為首的各種電源電路，開發(fā)出針對(duì)150V耐壓GaN HEMT的、高達(dá)8V的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)技術(shù)。

　　ROHM通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。

　　該GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

　　該GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65%。